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终于用上黑科技的半导体材料,充电器要越做越小了
终于用上黑科技的半导体材料,充电器要越做越小了,氮化镓(GaN)拥有极高的稳定性,它的熔点约为1700℃。作为目前是最优秀的半导体材料之一,GaN用作整流管能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生。这些特性让氮化镓应用在电源上有很好的发挥,降低元器件的体积同时能提高效率。很多人都会抱怨:笔记本、手机...
2022-09-09 157
终于用上黑科技的半导体材料,充电器要越做越小了,氮化镓(GaN)拥有极高的稳定性,它的熔点约为1700℃。作为目前是最优秀的半导体材料之一,GaN用作整流管能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生。这些特性让氮化镓应用在电源上有很好的发挥,降低元器件的体积同时能提高效率。很多人都会抱怨:笔记本、手机...